MLCに新技術

SanDisk社から、従来のMLCを超える新MLCについて、技術的な発表がされています。従来、MLCには2bit記録（４値）が用いられて来ましたが、これを3bit記録（８値）にする事で、単純に同じ面積に２倍のデータが記録する事ができる様になる訳です。現状のメモリカードだけではなく、SSD等への応用も期待されます。ただし、現行の56nmプロセスで製造されたプロトタイプでは、書き込み速度8MB/Secと、こちらはそれほど高速とは言えません。MLCを採用したフラッシュメモリの書き込み速度は、従来から高速とは言いがたいものでしたが、それについては踏襲されてしまっている様です。次世代の43nmプロセスに移行する事で多少はましな性能になると考えられますが、書き込み速度よりは容量を最重要視した結果の様です。ただし、製品になった場合には複数のチップに同時並列的に書き込みを行なう等の高速化技術が利用できるため、もう少しましな速度になるかもしれませんが。いずれにせよ、大容量化の要求には応えられると思われます。
参照：New 3-bit-per-cell (x3) Nand Flash Memory Technology